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SI7898DP-T1-E3 |
PowerPAK? SO-8 | Vishay Siliconix | 18168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI7898DP-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：150V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.9W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 在系列适配器之间S244-000 功率，高于 2 安KRPA-11DG-24 过时/停产零件编号E11X 晶体ECS-110.5-20-28A-TR 振荡器CSX750PCC50.0000M-UT PMIC - 电压ADR06BRZ 存储器，PC 卡MD1171-D16 圆形MS3110E10-6P 圆形VG95234A-16-12PN 高负载 - 外壳，1653040000 |
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